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0519-85112622正常情況下,并聯(lián)電容器組的投入和退出運行應根據(jù)系統(tǒng)功率因數(shù)的大小及系統(tǒng)電壓的高低來決定。系統(tǒng)功率因數(shù)低于規(guī)定值(一般為0.9~0.95)或系統(tǒng)電壓較低時,應投入電容器;系統(tǒng)功率因數(shù)趨近于1,并有超前的趨勢或系統(tǒng)電壓偏高時,應適量退出部分電容器。
⑥電容器起火、冒煙等。
希拓電氣三相可控硅開關(guān)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。